铟镓砷探测器(常温型)

Description

 铟镓砷探测器(常温型)

• DT-InGaAs1650型内装国产InGaAs元件

• DT-InGaAs1700-R03M型内装进口InGaAs元件

• DT-InGaAs2600-R03M型内装进口大面积InGaAs元件

 

型号/参数

DT-InGaAs1650

DT-InGaAs1700-R03M

DT-InGaAs2600-R03M

光敏面直径(mm)

3

3

3

波长范围(nm)

800-1700

800-1700

800-2600

峰值响应度(A/W, *小)

0.85

0.9

1.1

暗电流(nA, *大)

200

100

1mA

D*(典型值)

2.3×1012

4.1×1010

NEP(典型值)

1.2×10-13

6.5×10-12

阻抗(MΩ)

1

1.5

320Ω

电容(pF)

1500

800

9000

响应时间(ns)

160

100

1μs

信号输出模式

电流

电流

电流

输出信号极性

正(P)

正(P)

正(P)

 

 铟镓砷探测器(常温型)