硅、铟镓砷探测器（高速型）

型号

818-BB-21

818-BB-27

818-BB-40

818-BB-45

818-BB-30

818-BB-31

818-BB-35

818-BB-36

818-BB-51

探测器材料

Silicon

UV En-

hanced Silicon

Silicon

GaAs

InGaAs

InGaAs

InGaAs

InGaAs

Extended InGaAs

波长范围

300-1100

nm

200-1100

nm

350-1100

nm

500-890 nm

1000-1600

nm

1000-1600

nm

1000-1650

nm

800 –

1800nm

830-2150

nm

偏置电压

9 V

24 V

24 V

3 V

6 V

6 V

6 V

3V

3 V

探测器类型

PIN

探测器直径

0.4 mm

2.55 mm

4.57 mm

0.06 mm

0.1 mm

0.1 mm

0.032 mm

0.02mm

0.040 mm

接收角

10°

50°

60°

15°

20°

20°

15°

15°

20°

3 dB 带宽

DC to 1.2

GHz

DC to 118

MHz

DC to 25 MHz

DC to 12.5

GHz

DC to 2 GHz

DC to 2 GHz

DC to 15 GHz

DC to 22 GHz

DC to 10 GHz

上升时间

<300 ps

3ns

<30 ns

30 ps

175 ps

175 ps

25 ps

16ps

28 ps

响应度

0.47 A/W @ 830 nm

0.56 A/W @ 830 nm

0.6 A/W @ 830 nm

0.53 A/W @ 830 nm

0.9 A/W @ 1300 nm

0.9 A/W @ 1300 nm

0.9 A/W @ 1550 nm

>0.70A/W at 1300nm

1.3 A/W @

2.0 µm

输出接头

BNC

BNC

BNC

SMA

BNC

BNC

SMA

SMA

SMA

NEP

<0.01

pW/√Hz

<0.1

pW/√Hz

<0.09

pW/√Hz

<0.02

pW/√Hz at 830 nm

<0.03

pW/√Hz

0.03

pW/√Hz

20 pW/√Hz

26pW/√Hz at 1300nm

<0.44

pW/√Hz @ 2000 nm

饱和电流

3 mA

2.5 mA

2 mA

10 mA

5 mA

10 mA

10 mA

10 mA

3 mA

结电容

<1.5 pF

<25 pF

<45 pF

<0.3 pF

<0.75 pF

<1.25 pF

<0.13 pF

<0.10 pF

反向击穿电压

20 V

150 V

50 V

30 V

25 V

25 V

25 V

20 V

25 V

螺纹类型

8-32 and M4