红外氮化硅光源

Description

红外氮化硅光源

• 红外氮化硅光源包括光源室和直流稳压稳流电源两。光源室成像光路采用反射成像光路,反射镜镀
金,以增加红外反射率,总反射率>96%;光源室内预留光学斩波器的空间。氮化硅具有极.佳的发光
效率,且发光区域小,易于收集;无需水冷, 应用更为方便,使用寿命长达 2000 小时,输出光稳
定性优于 2%,非常适合于红外光谱测量。
主要技术参数:
• 功率:≥40W
• 光谱覆盖范围:1-14µm
• f/#:f/4
• 发光面尺寸:4mm×15mm
• 额定工作电压:8V
• 额定工作电流:6A
• 工作温度:900-1200℃
• 氮化硅使用寿命:≥2000小时